SiC芯片 TO - 220AB介绍
* 什么是SIC芯片
SiC 芯片是指以碳化硅（SiC）为材料制成的半导体芯片，它是第三代半导体的代表产品之一
基本概述
SiC 芯片的原材料碳化硅是由硅（Si）和碳（C）两种元素组成的化合物半导体材料。其原子结构稳定，每个硅原子与四个碳原子形成共价键结合，碳原子也同样与四个硅原子结合，形成类似金刚石的四面体结构。
性能优势：
SiC 的禁带宽度是硅的 3 倍，这使得 SiC 器件能在更高温度下稳定工作，实际受封装限制，目前可达 200℃以上。 SiC 的击穿电场强度是硅的 10 倍，导热率为硅的 4-5 倍，电子饱和漂移速率为硅的 2-3 倍。
例如：SiC 肖特基势垒二极管（SBD）——与传统硅快恢复二极管（FRD）相比，SiC SBD 没有反向恢复电流，能显著降低开关损耗，其耐压可达 600V 以上。
SiC 芯片中TO - 220AB有什么不同？
TO - 220AB 指的是采用TO - 220AB 封装形式的碳化硅芯片，其中 TO - 220AB 是功率器件领域常用的标准通孔封装，常应用于 SiC MOSFET 等碳化硅功率器件，适配中高功率场景的安装与散热需求
TO - 220AB封装的核心特性是什么呢？
结构与安装
该封装通常为 3 引脚设计，采用塑料外壳，适配通孔安装方式。其显著优势是具备绝缘底板，可直接固定在散热器上，无需额外绝缘垫片，既简化了组装流程，又能减少热量传递过程中的损耗，提升热管理效率。典型尺寸约为 8.24×10.5×4.7mm，机械强度较高，能适应多种工作环境。
散热与承载能力
热性能表现优异，结到外壳的热阻典型值约 3°C/W，可高效导出碳化硅芯片工作时产生的热量，适配 SiC 器件高功率密度的特性。同时它能承载较大电流，像部分采用该封装的 SiC 器件连续漏极电流可达 29A，脉冲电流能达到 72A，满足中高功率场景的电流需求。
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